MRFE6VP8600H 製品情報|NXP

特徴


LDMOS Broadband RF Power Transistor, 470-860 MHz, 600 W, 50 V

    パッケージ


    CFM4F: CFM4F, ceramic, flange mount flat package; 4 terminals; 13.72 mm pitch, 10.16 mm x 41.15 mm x 4.575 mm body

    購入オプション

    MRFE6VP8600HR5

    生産終了 (EOL)

    12NC: 935321656178

    詳細

    注文

    操作機能

    情報なし

    環境

    Part/12NC鉛フリーEU RoHSハロゲンフリーRHFインジケーター2次インターコネクトREACH SVHCWeight (mg)
    MRFE6VP8600HR5(935321656178)
    Yes
    Yes
    Certificate Of Analysis (CoA)
    Yes
    D
    e4
    REACH SVHC
    13163.9

    品質

    Part/12NC安全保障機能安全Peak Package Body Temperature (PPT) (C°)Maximum Time at Peak Temperatures (s)
    鉛フリーはんだ鉛フリーはんだ
    MRFE6VP8600HR5
    (935321656178)
    No
    260
    40

    配送

    Part/12NC関税分類番号(米国)免責事項:輸出規制品目番号(米国)
    MRFE6VP8600HR5
    (935321656178)
    854129
    EAR99

    製造終了品・代替品データ

    Part/12NC製造終了のお知らせ最終購入日 最終納品日交換
    MRFE6VP8600HR5
    (935321656178)
    NOTICE
    2021-12-01
    2022-05-31
    MRFE8VP8600HR5
    (935318365178)

    製品変更のお知らせ

    Part/12NC発行日有効期限PCNタイトル
    MRFE6VP8600HR5
    (935321656178)
    2020-09-242020-09-25202009028DNNXP Semiconductors Oak Hill Fab Scale Down: Product Discontinuation Notification