MRFE6VP5300N|300 W CW, 1.8-600 MHz, 50 V

These high ruggedness devices, MRFE6VP5300NR1 and MRFE6VP5300GNR1, are designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analog and digital), aerospace and radio/land mobile applications. They are unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600 MHz.

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データシート

製品詳細

Features

Wide Operating Frequency Range
Extreme Ruggedness
Unmatched Input and Output Allowing Wide Frequency Range Utilization
Integrated Stability Enhancements
Low Thermal Resistance
Integrated ESD Protection Circuitry
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

87.5-108 MHz Broadband

V_DD = 50 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
87.5-108^(1,3)	CW	361	23.8	80.1

230 MHz Narrowband

V_DD = 50 Vdc

Frequency (MHz)	Signal Type	Pout (W)	G_ps (dB)	η_D (%)
230⁽²⁾	CW	300	25.0	70.0
230⁽²⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	300 Peak	27.0	71.0

Ruggedness

Frequency (MHz)	Signal Type	VSWR	Pin (W)	Test Voltage	Result
98⁽¹⁾	CW	> 65:1 at all Phase Angles	3 (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation
230⁽²⁾	Pulse (100 µsec, 20% Duty Cycle)	> 65:1 at all Phase Angles	1.16 Peak (3 dB Overdrive)	50	No Device Degradation

1. Measured in 87.5-108 MHz broadband reference circuit.
2. Measured in 230 MHz narrowband test circuit.
3. The values shown are the minimum measured performance numbers across the indicated frequency range.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

^{データ・シート}
ARCHIVED - MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistor - Data Sheet

PDF改訂 1Jun 16, 20141.1 MBMRFE6VP5300N
^{パッケージ情報}
98ASA10578D, TO, 17.0x9.0x2.59, Pitch 0.21, 4 Pins

PDF改訂 EMar 17, 201675.2 KBSOT1736-2
^{パッケージ情報}
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins

PDF改訂 FJan 18, 201675.9 KBSOT1736-1
^{サポート情報}
Rugged Plastic for Industrial Applications

PDF改訂 0May 23, 2014295.3 KBRF_RUGGED_PLASTIC_INDUSTRIAL_TRN
^{ホワイト・ペーパ}
Designing with Plastic RF Power Transistors White Paper

PDF改訂 2Sep 24, 2015911.8 KBRFPLASTICWP

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5 の 6 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
MRFE6VP5300N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019 00:00:00143.4 KBMRFE6VP5300N_MDL_ADS
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^{シミュレーションとモデル}
MRFE6VP5300N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Apr 2, 2015 00:00:00410.9 KBMRFE6VP5300N_MDL_AWR
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^{プリント基板と回路図}
MRFE6VP5300N 88-108 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Jun 17, 2014 00:00:00426.6 KBMRFE6VP5300N_88_108_PCB
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^電卓
MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Mar 25, 2014 00:00:0036.4 KBMRFE6VP5300N_MTTF_CALC
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1.8-600 MHz, 300 W CW, 50 V Wideband RF Power LDMOS Transistors

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230 MHz Narrowband

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MRFE6VP5300N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6VP5300N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRFE6VP5300N 88-108 MHz PCB DXF file

MRFE6VP5300NR1, MRFE6VP5300GNR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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