1805-1880 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
The A2T18S162W31SR3 and A2T18S162W31GSR3 32 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1880 MHz.
製品詳細
RF Performance Table
1800 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1000 mA, Pout = 32 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 1805 MHz | 19.2 | 33.0 | 7.1 | –34.8 | –10 |
| 1840 MHz | 20.1 | 33.9 | 7.0 | –34.6 | –16 |
| 1880 MHz | 19.6 | 34.2 | 6.8 | –34.3 | –8 |
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.