1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistors
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
The A2T18S160W31SR3 and A2T18S160W31GSR3 32 W RF power LDMOS transistors are designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 1995 MHz.
製品詳細
RF Performance Tables
1800 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1000 mA, Pout = 32 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 1805 MHz | 19.6 | 32.1 | 7.2 | –34.7 | –12 |
| 1840 MHz | 20.1 | 32.1 | 7.2 | –35.0 | –17 |
| 1880 MHz | 19.9 | 31.6 | 7.2 | –35.4 | –12 |
1900 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQ = 1000 mA, Pout = 32 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
IRL (dB) |
| 1930 MHz | 21.0 | 32.2 | 7.5 | –34.4 | –17 |
| 1960 MHz | 21.3 | 32.2 | 7.4 | –34.4 | –19 |
| 1995 MHz | 21.6 | 32.9 | 7.1 | –33.9 | –12 |
1 ドキュメント
