1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs | NXP Semiconductors

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The MRF6S19060NR1 and MRF6S19060NBR1 are designed for N–CDMA base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

データ・シート

アプリケーション・ノート

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

6 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009改訂 0
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3263]

PDFJun 7, 2006改訂 0

MRF6S19060NR1, MRF6S19060NBR1 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S19060N]

PDFDec 27, 2010改訂 5

98ASA10575D, TO, 23.0x8.0x2.59, Pitch 12.0, 4 Pins[SOT1735-1]

PDFMar 17, 2016改訂 F
98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]

PDFJan 18, 2016改訂 F

設計・リソース

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1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

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アプリケーション・ノート (3)

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3263]

データ・シート (1)

MRF6S19060NR1, MRF6S19060NBR1 1930-1990 MHz, 12 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs[MRF6S19060N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10575D, TO, 23.0x8.0x2.59, Pitch 12.0, 4 Pins[SOT1735-1]

98ASA10577D, TO, 17.53x9.02x2.59, Pitch 5.38, 5 Pins[SOT1736-1]