MRF6S19140H|1930-1990 MHz, 29 W Avg, 28 V | NXP Semiconductors

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1930-1990 MHz, 29 W Avg., 28 V, 2 x N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRF6S19140H
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The MRF6S19140HR3 and MRF6S19140HSR3 are designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.
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