デザイン・ファイル
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
The MMRF1016HR5 600 W RF power LDMOS transistor is designed primarily for wideband RF power amplifiers with frequencies up to 500 MHz. This device is unmatched and is suitable for use in high power military applications.
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
