MMRF1016H|2-500 MHz, 600 W, 50 V | NXP Semiconductors

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2-500 MHz, 600 W, 50 V Broadband RF Power MOSFET

MMRF1016H
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The MMRF1016HR5 600 W RF power LDMOS transistor is designed primarily for wideband RF power amplifiers with frequencies up to 500 MHz. This device is unmatched and is suitable for use in high power military applications.
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