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2300-2400 MHz, 28 W Avg., 28 V LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRF8S23120H
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The MRF8S23120HR3 and MRF8S23120HSR3 are designed for LTE base station applications with frequencies from 2300 to 2400 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
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