A2T23H300-24S|2300-2400 MHz, 66 W, 28 V | NXP Semiconductors

2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

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RF Performance Table

2300 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Vdc, IDQA = 750 mA, VGSB = 0.7 Vdc, Pout = 66 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
N true 0 PSPA2T23H300-24Sja 1 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 0 English 66 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2300 to 24000 MHz 1433221660371704401449 PSP 499.5 KB None None documents None 1433221660371704401449 /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf 499465 /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf A2T23H300-24S documents N N 2016-10-31 ARCHIVED - A2T23H300-24S 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V Airfast<sup>®</sup> RF Power LDMOS Transistor Data Sheet /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2022-12-07 pdf N en Jun 1, 2015 980000996212993340 Data Sheet Y N ARCHIVED - A2T23H300-24S 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V Airfast<sup>®</sup> RF Power LDMOS Transistor Data Sheet false 0 A2T23H300-24S downloads ja true 1 Y PSP データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf 2016-10-31 1433221660371704401449 PSP 1 Jun 1, 2015 Data Sheet 66 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications covering the frequency range of 2300 to 24000 MHz None /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf English documents 499465 None 980000996212993340 2022-12-07 N /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf ARCHIVED - A2T23H300-24S 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V Airfast<sup>®</sup> RF Power LDMOS Transistor Data Sheet /docs/en/data-sheet/A2T23H300-24S.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 0 N N ARCHIVED - A2T23H300-24S 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V Airfast<sup>®</sup> RF Power LDMOS Transistor Data Sheet 499.5 KB A2T23H300-24S N 1433221660371704401449 true Y Products

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