MHE1003N|2450 MHz, 220 W CW, 26 V | NXP Semiconductors

2450 MHz, 220 W CW, 26 V RF LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking

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製品詳細

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RF Performance Tables

Typical Performance

VDD = 26 Vdc, IDQ = 50 mA
Frequency
(MHz)
Signal Type Gps
(dB)
PAE
(%)
Pout
(W)
2400CW14.061.5230
245013.962.0224
250011.561.8214

Load Mismatch/Ruggedness

Frequency
(MHz)
Signal Type VSWR Pin
(W)
Test
Voltage
Result
2450CW> 10:1
at all Phase Angles
20
(3 dB Overdrive)
28No Device Degradation
N true 0 PSPMHE1003Nja 1 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 0 English MHE1003N 220 W CW RF power transistor for consumer and commercial cooking applications operating in the 2450 MHz ISM band 1469637741083694406706 PSP 375.9 KB None None documents None 1469637741083694406706 /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf 375863 /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf MHE1003N documents N N 2016-10-31 ARCHIVED - MHE1003N 220 W CW, 2450 MHz, 26 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2022-12-07 pdf N en Jul 22, 2016 980000996212993340 Data Sheet Y N ARCHIVED - MHE1003N 220 W CW, 2450 MHz, 26 V Data Sheet false 0 MHE1003N downloads ja true 1 Y PSP データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf 2016-10-31 1469637741083694406706 PSP 1 Jul 22, 2016 Data Sheet MHE1003N 220 W CW RF power transistor for consumer and commercial cooking applications operating in the 2450 MHz ISM band None /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf English documents 375863 None 980000996212993340 2022-12-07 N /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf ARCHIVED - MHE1003N 220 W CW, 2450 MHz, 26 V Data Sheet /docs/en/data-sheet/MHE1003N.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 0 N N ARCHIVED - MHE1003N 220 W CW, 2450 MHz, 26 V Data Sheet 375.9 KB MHE1003N N 1469637741083694406706 true Y Products

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