MRF8P29300H|320 W Pulse, 2700-2900 MHz, 30

The MRF8P29300HR6 and MRF8P29300HSR6 are RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 2700 and 2900 MHz. These devices are suitable for use in pulsed applications.

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データシート

製品詳細

Features

Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 32 V_DD Operation
Integrated ESD Protection
Designed for Push-Pull Operation
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel.

RF Performance Table

Typical Pulse Performance

V_DD = 30 Volts, I_DQ = 100 mA

Signal Type	Pout (W)	f (MHz)	G_ps (dB)	η_D (%)	IRL (dB)
Pulse (100 µsec, 10% Duty Cycle)	320 Peak	2900	13.3	50.5	–17

Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 2900 MHz, 320 Watts Peak Power, 300 µsec, 10% Duty Cycle (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

データ・シート
ARCHIVED - MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

PDF改訂 0Feb 24, 20111.1 MBMRF8P29300H
パッケージ情報
98ASB16977C, NI-1230H-4S, 41.15x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 HOct 25, 2019159.0 KBSOT1787-1
パッケージ情報
98ARB18247C, NI-1230S-4S, 32.26x10.16x4.19, Pitch 13.72, 5 Pins

PDF改訂 HFeb 23, 201644.6 KBSOT1829-1

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 6 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Mar 2, 2012 00:00:00297.2 KBMRF8P29300H_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00237.8 KBMRF8P29300H_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 S-Parameters

S2P改訂 0Feb 24, 2011 00:00:0034.4 KBMRF8P29300H_SP

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電卓
MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Feb 24, 2011 00:00:0034.7 KBMRF8P29300H_MTTF_CALC

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2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

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MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF8P29300H, MRF8P29300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 S-Parameters

MRF8P29300HR6, MRF8P29300HSR6 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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