MMRF1013H|2700-2900 MHz, 320 W, 30 V | NXP Semiconductors

2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs

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RF Performance Table

Typical Pulse Performance

Typical Pulse Performance: VDD = 30 Vdc, IDQ = 100 mA
  • Capable of Handling 10:1 VSWR @ 32 Vdc, 2900 MHz, 320 W Peak Power, 300 µsec, 10% Duty Cycle (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
N true 0 PSPMMRF1013Hja 1 データ・シート Data Sheet t520 1 ja ja ja データ・シート Data Sheet 1 1 0 English MMRF1013HR5 and MMRF1013HSR5 are RF power transistors designed for aerospace and defense S-band radar pulse applications operating at frequencies between 2700 and 3200 MHz. 1406329448946693165706 PSP 864.2 KB None None documents None 1406329448946693165706 /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf 864151 /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf MMRF1013H documents N N 2016-10-31 ARCHIVED - MMRF1013HR5, MMRF1013HSR5 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf Data Sheet N 980000996212993340 2022-12-07 pdf N en Jul 25, 2014 980000996212993340 Data Sheet Y N ARCHIVED - MMRF1013HR5, MMRF1013HSR5 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet false 0 MMRF1013H downloads ja true 1 Y PSP データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf 2016-10-31 1406329448946693165706 PSP 1 Jul 25, 2014 Data Sheet MMRF1013HR5 and MMRF1013HSR5 are RF power transistors designed for aerospace and defense S-band radar pulse applications operating at frequencies between 2700 and 3200 MHz. None /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf English documents 864151 None 980000996212993340 2022-12-07 N /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf ARCHIVED - MMRF1013HR5, MMRF1013HSR5 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet /docs/en/data-sheet/MMRF1013H.pdf documents 980000996212993340 Data Sheet N en None Y pdf 0 N N ARCHIVED - MMRF1013HR5, MMRF1013HSR5 2700-2900 MHz, 320 W, 30 V Pulse S-Band RF Power MOSFETs - Data Sheet 864.2 KB MMRF1013H N 1406329448946693165706 true Y Products

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