デザイン・ファイル
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
3.5 GHz, 3 W , 6 V Power FET GaAs pHEMT
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
製品詳細
Features
- Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ =
180 mA, Pout = 450 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01%
Probability on CCDF.
- Power Gain: 10 dB
- Drain Efficiency: 27%
- ACPR @ 5 MHz Offset: –42.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
- 3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
- Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
- High Gain, High Efficiency and High Linearity
- RoHS Compliant
- In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
部品番号： MRFG35003N6A.
購入/パラメータ
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クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
