A2I35H060N|3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V

The A2I35H060N wideband integrated circuit is an asymmetrical Doherty designed with on-chip matching that makes it usable from 3400 to 3800 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
On-Chip Matching (50 Ohm Input, DC Blocked)
Integrated Quiescent Current Temperature Compensation with Enable/Disable Function
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant

RF Performance Table

3500 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQ1A = 56 mA, I_DQ2A = 141 mA, V_GS1B = 1.6 Vdc, V_GS2B = 1.3 Vdc, Pout = 10 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	PAE (%)	ACPR (dBc)
3400 MHz	24.0	32.5	–33.4
3500 MHz	24.0	32.4	–37.0
3600 MHz	23.7	31.3	–39.0

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 7 ドキュメント

データ・シート
ARCHIVED - A2I35H060N 3400-3800 MHz, 10 W Avg, 28 V Data Sheet

PDF改訂 0Apr 20, 2016507.2 KBA2I35H060N
アプリケーション・ノート
Effective Small Cell Solutions for MIMO Radios

PDF改訂 0Jan 15, 2017273.2 KBAN5296
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
パッケージ情報
98ASA00583D, TO-270WB-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 9.02, 18 Pins

PDF改訂 BJan 22, 201686.9 KBSOT1730-1
パッケージ情報
98ASA00729D, TO-270WBG-17, 17.53x9.02x2.59, Pitch 1.02, 18 Pins

PDF改訂 BJan 18, 201688.0 KBSOT1730-2

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
A2I35H060N Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Apr 20, 2016 00:00:0013.2 KBA2I35H060N_PEAKING_CLASS_C

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シミュレーションとモデル
A2I35H060N Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Apr 20, 2016 00:00:0013.2 KBA2I35H060N_PEAKING_CLASS_AB

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シミュレーションとモデル
A2I35H060N Carrier S-Parameters

S2P改訂 0Apr 20, 2016 00:00:0013.2 KBA2I35H060N_CARRIER

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プリント基板と回路図
A2I35H060N 3500 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 SJ3Apr 20, 2016 00:00:00760.3 KBA2I35H060N_3500_PCB

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3400-3800 MHz, 10 W Avg., 28 V Airfast® Wideband Integrated RF LDMOS Amplifiers

製品詳細

Features

RF Performance Table

3500 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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A2I35H060N Peaking Class C S-Parameters

A2I35H060N Peaking Class AB S-Parameters

A2I35H060N Carrier S-Parameters

A2I35H060N 3500 MHz PCB DXF file

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