400-1400 MHz, 37.5 dB, 22.8 dBm E-pHEMT LNA

MML09212H 製造中止
  • このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
The MML09212HT1 is a 2-stage low noise amplifier (LNA) with active bias and high isolation for use in cellular infrastructure applications. It is designed for a range of low noise, high linearity applications such as picocell, femtocell, tower mounted amplifiers (TMA) and receiver front-end circuits. It operates from a single voltage supply and is suitable for applications with frequencies from 400 to 1400 MHz such as ISM, GSM, W-CDMA and LTE.

製品画像を見る

製品詳細

Features

  • Low noise figure: 0.52 dB @ 900 MHz
  • Frequency: 400-1400 MHz
  • Unconditionally stable over temperature
  • High reverse isolation: –58 dB @ 900 MHz
  • P1dB: 22.8 dBm @ 900 MHz
  • Small-signal gain: 37.5 dB @ 900 MHz
  • Third order output intercept point: 37.5 dBm @ 900 MHz
  • Active bias control (on-chip)
  • Single 5 V supply
  • Supply current: 150 mA
  • 50 Ohm operation (some external matching required)
  • Cost-effective 12-pin, 3 mm QFN surface mount plastic package
  • RoHS compliant

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

4 ドキュメント

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.
フィルタ

5 設計・ファイル

サポート

お困りのことは何ですか？?

  • Narrow your search
検索