728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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The MDE6IC7120NR1 and MDE6IC7120GNR1 wideband integrated circuits are designed with on-chip matching that make them usable from 728 to 768 MHz. This multi-stage structure is rated for 26 to 32 Volt operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

データシート

アプリケーション・ノート

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

データ・シート
MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

PDF改訂 0Oct 29, 2009518.6 KBMDE6IC7120N
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
エンジニアリング・ブリテン
Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices

PDF改訂 0Jan 19, 2004171.0 KBEB212
パッケージ情報
98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins

PDF改訂 EMar 18, 201682.7 KBSOT1725-1
パッケージ情報
98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins

PDF改訂 EMar 18, 201677.7 KBSOT1728-1

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
MDE6IC7120N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:001.2 MBMDE6IC7120N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 S-parameters

S2P改訂 0Oct 15, 2009 00:00:0010.7 KBMDE6IC7120N_SP

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728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

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