728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

6 ドキュメント

コンパクトリスト

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

PDFMay 12, 2004改訂 1
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977[AN1977]

PDFOct 9, 2003改訂 0

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers[MDE6IC7120N]

PDFOct 29, 2009改訂 0

98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins[SOT1725-1]

PDFMar 18, 2016改訂 E
98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins[SOT1728-1]

PDFMar 18, 2016改訂 E

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
MDE6IC7120N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 20191.2 MBMDE6IC7120N_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 S-parameters

S2P改訂 0Oct 15, 200910.7 KBMDE6IC7120N_SP

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728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers

ドキュメント

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アプリケーション・ノート (2)

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977[AN1977]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers[MDE6IC7120N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins[SOT1725-1]

98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins[SOT1728-1]

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アプリケーション・ノート (2)

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977[AN1977]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 728-768 MHz, 25 W Avg., 28 V Single W-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers[MDE6IC7120N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10740D, TO, 23.62x9.02x3.18, Pitch 1.02, 17 Pins[SOT1725-1]

98ASA10739D, TO-WBL, 23.55x9.05x3.17, Pitch 9.02, 16 Pins[SOT1728-1]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MDE6IC7120N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 S-parameters

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MDE6IC7120N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MDE6IC7120NR1, MDE6IC7120GNR1 S-parameters

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