860-960 MHz, 15 W, 26 V GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers | NXP Semiconductors

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The MW4IC915NB/GNB wideband integrated circuit is designed for GSM and GSM EDGE base station applications. It uses Our newest High Voltage (26 to 28 Volts) LDMOS IC technology and integrates a multi–stage structure. Its wideband On-Chip design makes it usable from 750 to 1000 MHz. The linearity performances cover all modulations for cellular applications: GSM, GSM EDGE, TDMA, N–CDMA and W–CDMA.

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

8 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009改訂 0
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3263]

PDFJun 7, 2006改訂 0
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987[AN1987]

PDFMay 12, 2004改訂 1
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977[AN1977]

PDFOct 9, 2003改訂 0

MW4IC915NBR1, MW4IC915GNBR1 860-960 MHz, 15 W, 26 V GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers[MW4IC915N]

PDFMar 31, 2011改訂 8

98ARH99164A, TO-WB, 9.02x23.62x2.59, Pitch 0.04, 17 Pins[SOT1727-1]

PDFFeb 29, 2016改訂 R
98ASA10532D, 1329A-04, TO-272WB 16 Lead Gull Wing Plastic[SOT1724-1]

PDFJun 30, 2007改訂 F

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