デザイン・ファイル
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
860-960 MHz, 15 W, 26 V GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
The MW4IC915NB/GNB wideband integrated circuit is designed for GSM and GSM EDGE base station applications. It uses Our newest High Voltage (26 to 28 Volts) LDMOS IC technology and integrates a multi–stage structure. Its
wideband On-Chip design makes it usable from 750 to 1000 MHz. The linearity performances cover all modulations for cellular applications: GSM, GSM EDGE, TDMA, N–CDMA and W–CDMA.
