MWE6IC9100N|865-960 MHz, 100 W, 26 V

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The MWE6IC9100NR1 and MWE6IC9100NBR1 wideband integrated circuits are designed with on-chip matching that make them usable from 865 to 960 MHz. These multi-stage structures are rated for 26 to 32 Volt operation and cover all typical cellular base station modulation formats.

データシート

アプリケーション・ノート

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 10 ドキュメント

データ・シート
MWE6IC9100NBR1 960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

PDF改訂 6Oct 31, 20111.1 MBMWE6IC9100N-2
データ・シート
MWE6IC9100NR1 960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

PDF改訂 4.1Oct 31, 20111.1 MBMWE6IC9100N-1
アプリケーション・ノート
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
アプリケーション・ノート
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789
アプリケーション・ノート
Bolt Down Mounting Method for High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 0Jun 7, 20068.3 MBAN3263
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1987

PDF改訂 1May 12, 2004140.7 KBAN1987
アプリケーション・ノート
Quiescent Current Control for the RF Integrated Circuit Device Family - AN1977

PDF改訂 0Oct 9, 2003134.6 KBAN1977
パッケージ情報
98ASA10650D, TO, 17.65x9.25x2.59, Pitch 0.36, 14 Pins

PDF改訂 BMar 18, 201672.7 KBSOT1720-2
パッケージ情報
98ASA10649D, TO, 23.65x9.25x2.59, Pitch 9.02, 14 Pins

PDF改訂 BFeb 26, 201671.4 KBSOT1721-1
ホワイト・ペーパ
Advances in Airfast RFICs White Paper

PDF改訂 0May 15, 2015167.4 KBAIRFASTWBFWP

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
MWE6IC9100NBR1, MWE6IC9100NR1 RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:001.8 MBMWE6IC9100N_MDL_ADS

アカウントが必要です
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電卓
MWE6IC9100NBR1, MWE6IC9100NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 1Feb 12, 2007 00:00:0044.5 KBMWE6IC9100N_MTTF_CALC

アカウントが必要です
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865-960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Amplifiers

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

MWE6IC9100NBR1, MWE6IC9100NR1 RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MWE6IC9100NBR1, MWE6IC9100NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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