MRFE6S9160H|865-960 MHz, 35 W Avg, 28 V | NXP Semiconductors

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865-960 MHz, 35 W Avg., 28 V, Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRFE6S9160H
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The MRFE6S9160HR3 and MRFE6S9160HSR3 are designed for N-CDMA, GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.
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