869-960 MHz, 80 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs | NXP Semiconductors

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869-960 MHz, 80 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRF5S9080N
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The MRF5S9080NR1 and MRF5S9080NBR1 are designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications
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