MRFE6S9046N|920-960 MHz, 35.5 W CW, 28 V | NXP Semiconductors

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920-960 MHz, 35.5 W CW, 28 V GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRFE6S9046N
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The MRFE6S9046NR1 and MRFE6S9046GNR1 are designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 920 to 960 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications.
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