920-960 MHz, 75 W Avg., 28 V Single W-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
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The MRF8S9260HR3 and MRF8S9260HSR3 are designed for CDMA and multicarrier GSM base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
製品詳細
RF Performance Table
900 MHz
Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1700 mA, Pout = 75 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.| Frequency | Gps (dB) |
ηD (%) |
Output PAR (dB) |
ACPR (dBc) |
| 920 MHz | 18.8 | 36.0 | 6.3 | –39.5 |
| 940 MHz | 18.7 | 37.0 | 6.2 | –38.6 |
| 960 MHz | 18.6 | 38.5 | 5.9 | –37.1 |
- Capable of Handling 7:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 380 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness
- Typical Pout @ 1 dB Compression Point ≃ 260 Watts CW
ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.