デザイン・ファイル
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
960-1215 MHz, 275 W, 50 V Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFETs
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
RF Power transistors, MMRF1008H, MMRF1008HS and MMRF1008GH are designed for applications operating at frequencies from 900 and 1215 MHz. These devices are suitable for use in defense and commercial pulse applications, such as IFF and DME.
NI-780H-2L, NI-780S-2L, NI-780GH-2L Package Image
製品詳細
Features
- Typical Pulse Performance: VDD = 50 Vdc, IDQ = 100 mA, Pout = 275 W Peak (27.5 Watts Avg.), f = 1030 MHz, Pulse Width = 128 µsec, Duty Cycle = 10%
- Power Gain: 20.3 dB
- Drain Efficiency: 65.5%
- Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1030 MHz, 275 W Peak Power
- Typical Broadband Performance: VDD = 50 Vdc, IDQ = 100 mA, Pout = 250 W Peak (25 Watts Avg.), f = 960–1215 MHz, Pulse Width = 128 µsec, Duty Cycle = 10%
- Power Gain: 19.8 dB
- Drain Efficiency: 58%
- Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
- Internally Matched for Ease of Use
- Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
- Integrated ESD Protection
- Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
- RoHS Compliant
購入/パラメータ
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ドキュメント
クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
