デザイン・ファイル
完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.
965-1215 MHz, 1000 W, 50 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs
- このページには、製造中止（生産終了）となった製品の情報が記載されています。本ページに記載されている仕様および情報は、過去の参考情報です。
製品詳細
Features
- Typical Pulse Performance: VDD = 50 Vdc, IDQ = 150 mA,
Pout = 1000 W Peak (100 W Avg.), f = 1030 MHz, Pulse Width = 128 µsec, Duty Cycle = 10%
- Power Gain: 20 dB
- Drain Efficiency: 56%
- Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1030 MHz, 1000 W Peak Power
- Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
- Internally Matched for Ease of Use
- Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
- Integrated ESD Protection
- Designed for Push-Pull Operation
- Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
- RoHS Compliant
- In Tape and Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13-inch Reel.
購入/パラメータ
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クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.
