A3G22H400-04S|Airfast RF Power GaN Transistor

A3G22H400-04S|Airfast RF Power GaN Transistor | NXP Semiconductors

The A3G22H400-04S 79 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1800 to 2200 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 1800 to 2200 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

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データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

High terminal impedances for optimal broadband performance
Advanced high performance in-package Doherty
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
RoHS compliant

RF Performance Tables

2100 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 200 mA, V_GSB = –5.4 Vdc, P_out = 79 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.⁽¹⁾

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2110 MHz	15.4	56.6	7.1	–33.1
2140 MHz	15.4	56.6	7.1	–34.9
2170 MHz	15.4	56.6	7.1	–34.9
2200 MHz	15.3	56.5	7.0	–34.5

1800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 200 mA, V_GSB = –5.5 Vdc, P_out = 89 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.⁽¹⁾

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	15.1	56.0	7.0	–31.1
1840 MHz	15.6	56.5	7.1	–31.8
1880 MHz	15.1	58.7	7.0	–30.8

1. All data measured in fixture with device soldered to heatsink.

購入/パラメータ

パーツ説明を表示	注文	コンピュータ支援設計モデル	状況	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	ダイ技術
A3G22H400-04S データ・シート			生産終了 (EOL)	1800	2200	48	56	400	GaN

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A3G22H400-04S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0May 28, 2018119.4 KBA3G22H400-04S-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A3G22H400-04S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0May 28, 2018119.4 KBA3G22H400-04S-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3G22H400-04S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0May 28, 2018119.4 KBA3G22H400-04S-Carrier

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プリント基板と回路図
A3G22H400-04S 2100 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 7May 22, 2018122.8 KBA3G22H400-04S-2100-PCB

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ショッピング・カート

1800-2200 MHz, 79 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

2100 MHz

1800 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

データ・シート (1)

A3G22H400-04S 1800-2200 MHz, 79 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A3G22H400-04S]

パッケージ情報 (1)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

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アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

データ・シート (1)

A3G22H400-04S 1800-2200 MHz, 79 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A3G22H400-04S]

パッケージ情報 (1)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A3G22H400-04S Peaking Class C S-Parameters

A3G22H400-04S Peaking Class AB S-Parameters

A3G22H400-04S Carrier S-Parameters

A3G22H400-04S 2100 MHz PCB DXF file

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A3G22H400-04S Peaking Class C S-Parameters

A3G22H400-04S Peaking Class AB S-Parameters

A3G22H400-04S Carrier S-Parameters

A3G22H400-04S 2100 MHz PCB DXF file

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