A3T18H455W23S|1805-1880 MHz, 87 W Avg, 30 V

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

1800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Characterization Performance: V_DD = 29.5 Vdc, I_DQA = 590 mA, V_GSB = 0.78 Vdc, P_out = 87 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	17.2	53.5	8.0	–28.3
1840 MHz	17.4	54.1	8.1	–29.4
1880 MHz	17.1	53.7	7.9	–31.2

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A3T18H455W23S 1805-1880 MHz, 87 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T18H455W23S]

PDFSep 1, 2017改訂 0

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017改訂 A

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A3T18H455W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Sep 1, 2017136.5 KBA3T18H455W23S-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A3T18H455W23S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0Sep 1, 2017136.4 KBA3T18H455W23S-Carrier

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シミュレーションとモデル
A3T18H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Sep 1, 2017136.4 KBA3T18H455W23S-Peaking-Class-AB

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プリント基板と回路図
A3T18H455W23S 1800 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2Sep 1, 201758.1 KBA3T18H455W23S-1800-PCB

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電卓
A3T18H455W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Sep 5, 201781.3 KBA3T18H455W23S_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

1805-1880 MHz, 87 W Avg., 30 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

1800 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T18H455W23S 1805-1880 MHz, 87 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T18H455W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T18H455W23S 1805-1880 MHz, 87 W Avg, 30 V Data Sheet[A3T18H455W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A3T18H455W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T18H455W23S Carrier S-Parameters

A3T18H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T18H455W23S 1800 MHz PCB DXF file

A3T18H455W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

絞り込み

絞り込み

A3T18H455W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T18H455W23S Carrier S-Parameters

A3T18H455W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T18H455W23S 1800 MHz PCB DXF file

A3T18H455W23S RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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