A2T18H100-25S|1805-1995 MHz, 18 W Avg, 28 V

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 44 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Tables

1800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 230 mA, V_GSB = 0.3 Vdc, Pout = 18 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	18.1	50.2	7.7	–31.0
1840 MHz	18.2	49.6	7.8	–33.0
1880 MHz	18.1	49.8	7.9	–34.4

1900 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 210 mA, V_GSB = 0.3 Vdc, Pout = 18 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1930 MHz	18.8	51.0	8.1	–31.3
1960 MHz	18.7	50.2	7.9	–32.7
1990 MHz	18.6	50.1	7.8	–33.3

購入/パラメータ

パーツ説明を表示	注文	コンピュータ支援設計モデル	状況	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	ダイ技術
A2T18H100-25S データ・シート			生産終了 (EOL)	1805	1995	28	50.5	112	LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

3 ドキュメント

コンパクトリスト

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2T18H100-25SR3 1805-1995 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[A2T18H100-25S]

PDFOct 31, 2014改訂 0

98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins[SOT1797-1]

PDFFeb 15, 2016改訂 A

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 9 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A2T18H100-25S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Apr 2, 20151.6 MBA2T18H100_25S_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
A2T18H100-25SR3 S-Parameters

S2P改訂 0Oct 31, 201454.9 KBA2T18H100_PEAKING_0P3VDC_SP

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A2T18H100-25SR3 S-Parameters

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A2T18H100-25S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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A2T18H100-25SR3 S-Parameters

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プリント基板と回路図
A2T18H100-25S 1800 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Nov 4, 2014245.8 KBA2T18H100_25S_1800_PCB

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電卓
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XLSX改訂 0Nov 16, 201532.5 KBA2T18H100_25S_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

1805-1995 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Tables

1800 MHz

1900 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2T18H100-25SR3 1805-1995 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor Data Sheet[A2T18H100-25S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00406D, NI-C, 20.57x9.78x3.81, Pitch 8.89, 9 Pins[SOT1797-1]

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エンジニアリング・ブリテン (1)

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データ・シート (1)

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