A3T21H400W23S|2110-2200 MHz, 71 W Avg, 28 V

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Designed for wide instantaneous bandwidth applications
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

2100 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 28 Vdc, I_DQA = 700 mA, V_GSB = 0.55 Vdc, P_out = 71 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
2110 MHz	15.7	52.8	7.8	–29.2
2140 MHz	15.7	53.0	7.9	–29.5
2170 MHz	15.5	51.8	7.8	–29.4
2200 MHz	15.1	50.4	7.7	–30.6

購入/パラメータ

パーツ説明を表示	注文	コンピュータ支援設計モデル	状況	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	ダイ技術
A3T21H400W23S データ・シート			新規採用非推奨	2110	2200	28	56.4	436	LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

PDFFeb 24, 2011改訂 1

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A3T21H400W23S 2110-2200 MHz, 71 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T21H400W23S]

PDFJun 8, 2018改訂 0

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

PDFJun 21, 2017改訂 A

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A3T21H400W23S Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Jun 8, 2018238.5 KBA3T21H400W23S-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A3T21H400W23S Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Jun 8, 2018238.5 KBA3T21H400W23S-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A3T21H400W23S Carrier S-Parameters

S2P改訂 0Jun 8, 2018238.5 KBA3T21H400W23S-Carrier

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プリント基板と回路図
A3T21H400W23S 2100 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 1Jun 8, 201820.6 KBA3T21H400W23S-2100-PCB

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ショッピング・カート

2110-2200 MHz, 71 W Avg., 28 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2100 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T21H400W23S 2110-2200 MHz, 71 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T21H400W23S]

パッケージ情報 (1)

98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

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アプリケーション・ノート (1)

AN1908 - Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Air Cavity Packages[AN1908]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A3T21H400W23S 2110-2200 MHz, 71 W Avg, 28 V Data Sheet[A3T21H400W23S]

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98ASA00974D, ACP-1230S-4L2S[SOT1800-4]

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デザイン・ファイル

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A3T21H400W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T21H400W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T21H400W23S Carrier S-Parameters

A3T21H400W23S 2100 MHz PCB DXF file

絞り込み

絞り込み

A3T21H400W23S Peaking Class AB S-Parameters

A3T21H400W23S Peaking Class C S-Parameters

A3T21H400W23S Carrier S-Parameters

A3T21H400W23S 2100 MHz PCB DXF file

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