A3T23H450W23S|2300-2400 MHz, 87 W Avg, 30 V | NXP Semiconductors

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2300-2400 MHz, 87 W Avg., 30 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

A3T23H450W23S 生産終了 (EOL)
The A3T23H450W23S 87 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 2300 to 2400 MHz.

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Features

  • Advanced high performance in-package Doherty
  • Designed for wide instantaneous bandwidth applications
  • Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
  • Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
  • Designed for digital predistortion error correction systems
  • RoHS compliant

RF Performance Table

2300 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 30 Vdc, IDQA = 650 mA, VGSB = 0.65 Vdc, Pout = 87 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Frequency Gps
(dB)		 ηD
(%)		 Output PAR
(dB)		 ACPR
(dBc)
2300 MHz14.747.07.8–30.7
2350 MHz15.146.47.6–31.7
2400 MHz15.246.57.5–33.3

購入/パラメータ

1 結果

除外 1 NRND

パーツ

説明を表示

注文

コンピュータ支援設計 モデル

状況

Frequency (Min) (MHz)

Frequency (Max) (MHz)

Supply Voltage (Typ) (V)

Peak Power (Typ) (dBm)

Peak Power (Typ) (W)

ダイ技術

A3T23H450W23S
データ・シート

生産終了 (EOL)

2300

2400

30

57.5

562

LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

4 ドキュメント

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