MRF6V14300H|330 W Pulse, 1400 MHz, 50 V

製品
無線周波数
レガシーRF
レガシーRFパワー
- A2I20D020N
- A2I20D040N
- A2I20H060N
- A2T07D160W04S
- A2T09D400-23N
- A2T14H450-23N
- A2T21H100-25S
- A2T23H160-24S
- A2T27S020N
- A3I35D025WN
- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
- A3T21H360W23S
- AFIC901N
- AFM906N
- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
- AFT05MP075N
- AFT05MS004N
- AFT05MS006N
- AFT05MS031N
- AFT09MP055N
- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
- AFT27S012N
- MD8IC970N
- MHT1803A
- MHT2012N
- MMRF1004N
- MMRF1308H
- MMRF1314H
- MMT20303H
- MRF101AN
- MRF13750H
- MRF1518NT1
- MRF1K50H
- MRF1K50N
- MRF300AN
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- MRF6V12500H
- MRF6V14300H
- MRF8VP13350N
- MRFE6S9060NR1
- MRFE6VP100H
- MRFE6VP5150N
- MRFE6VP5600H
- MRFE6VP61K25H
- MRFE6VP61K25N
- MRFE6VP6300H
- MRFE6VP6600N
- MRFE6VS25L
- MRFE6VS25N
- MRFE8VP8600H
- MRFX035H
- MRFX1K80H
- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRF6V14300H

The MRF6V14300HR3 and MRF6V14300HSR3 are RF Power transistors designed for applications operating at frequencies between 1200 and 1400 MHz, 1% to 12% duty cycle. These device are suitable for use in pulsed applications.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Typical Pulsed Performance: V_DD = 50 Volts, I_DQ = 150 mA, Pout = 330 Watts Peak (39.6 W Avg.), f = 1400 MHz, Pulse Width = 300 µsec, Duty Cycle = 12%
Power Gain: 18 dB

Drain Efficiency: 60.5%
Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1400 MHz, 300 Watts Peak Power
Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
Internally Matched for Ease of Use
Qualified Up to a Maximum of 50 V_DD Operation
Integrated ESD Protection
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

^{データ・シート}
MRF6V14300HR3, MRF6V14300HSR3 1400 MHz, 330 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

PDF改訂 3Apr 28, 2010652.9 KBMRF6V14300H
^{アプリケーション・ノート}
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
^カタログ
RF Solutions for Commercial Aerospace

PDF改訂 2Sep 4, 20151.9 MBBR1608
^{パッケージ情報}
98ASB15607C, NI-C, 1.34x0.39x3.76, Pitch 1.1, 3 Pins

PDF改訂 HMar 22, 201644.1 KBSOT1792-1
^{パッケージ情報}
98ASB16718C, NI-C, 0.81x0.39x3.76, Pitch 14.6, 3 Pins

PDF改訂 JMar 22, 201643.5 KBSOT1793-1
^{ホワイト・ペーパ}
50V RF LDMOS: Power Technology for ISM, Broadcast, and Commercial Aerospace Applications

PDF改訂 4Sep 8, 2011965.1 KB50VRFLDMOSWP

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
MRF6V14300H, MRF6V14300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jul 22, 2011 00:00:00766.4 KBMRF6V14300H_MDL_AWR
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^{シミュレーションとモデル}
MRF6V14300H, MRF6V14300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00349.3 KBMRF6V14300H_MDL_ADS
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^電卓
MRF6V14300HR3, MRF6V14300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 1Apr 28, 2010 00:00:0041.0 KBMRF6V14300H_MTTF_CALC
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1400 MHz, 330 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

製品詳細

Features

購入/パラメータ

ドキュメント

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設計・リソース

デザイン・ファイル

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MRF6V14300H, MRF6V14300HS RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

MRF6V14300H, MRF6V14300HS RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRF6V14300HR3, MRF6V14300HSR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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