MRFE6S9060N|470-960 MHz, 14 W, 28 V LDMOS

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- A2I20D020N
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- A3T09S100N
- A3T18H360W23S
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- AFIC901N
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- AFM907N
- AFM912N
- AFSC5G23D37
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- AFT05MS031N
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- AFT09MS007N
- AFT09MS015N
- AFT09MS031N
- AFT27S006N
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- MRFX1K80N
- MRFX600H
- MW6S004NT1
- MW6S010N
- MW7IC008N
MRFE6S9060NR1

The MRFE6S9060NR1 is designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common-source amplifier applications in 28 volt base station equipment.

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データシート

アプリケーション・ノート

製品詳細

Features

Typical Single-Carrier N-CDMA Performance @ 880 MHz, V_DD = 28 Volts, I_DQ = 450 mA, Pout = 14 Watts Avg., IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 21.1 dB

Drain Efficiency: 33%

ACPR @ 750 kHz Offset: –45.7 dBc in 30 kHz Bandwidth
Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 880 MHz, 3 dB Overdrive, Designed for Enhanced Ruggedness

GSM EDGE Application

Typical GSM EDGE Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ = 500 mA, Pout = 21 Watts Avg., Full Frequency Band (920-960 MHz)

Power Gain: 20 dB

Drain Efficiency: 46%

Spectral Regrowth @ 400 kHz Offset = –62 dBc

Spectral Regrowth @ 600 kHz Offset = –78 dBc

EVM: 1.5% rms

GSM Application

Typical GSM Performance: V_DD = 28 Volts, I_DQ = 500 mA, Pout = 60 Watts, Full Frequency Band (920-960 MHz)

Power Gain: 20 dB

Drain Efficiency: 63%
Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
Integrated ESD Protection
225°C Capable Plastic Package
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

1-5 の 6 ドキュメント

^{データ・シート}
MRFE6S9060NR1 880 MHz, 14 W Avg., 28 V, Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

PDF改訂 1Oct 19, 2007589.9 KBMRFE6S9060N
^{アプリケーション・ノート}
Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note

PDF改訂 2Jul 11, 2024235.5 KBAN1955
^{アプリケーション・ノート}
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 3May 13, 2009910.7 KBAN1907
^{アプリケーション・ノート}
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages

PDF改訂 0Mar 12, 2009449.7 KBAN3789
^カタログ
Broadcast Solutions

PDF改訂 5Sep 8, 2011818.6 KBBR1607
^{パッケージ情報}
98ASH98117A, TO, 9.65x6.1x2.03, Pitch 6.06, 3 Pins

PDF改訂 RFeb 26, 201691.2 KBSOT1732-1

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設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

完全な内訳を受け取ります。 製品の設置面積などについては、 eCad ファイル.

^{シミュレーションとモデル}
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016 00:00:00785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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^{シミュレーションとモデル}
MRFE6S9060N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019 00:00:00178.7 KBMRFE6S9060N_MDL_ADS
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^電卓
MRFE6S9060NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLS改訂 0Oct 2, 2007 00:00:0043.5 KBMRFE6S9060N_MTTF_CALC
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470-960 MHz, 14 W Avg., 28 V, Broadband RF Power LDMOS Transistor

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MRFE6S9060N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

MRFE6S9060NR1 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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