A5G18H610W19N|1805～1880 MHz、85 W平均、48 V | NXP Semiconductors

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A5G18H610W19N 1805～1880 MHz、85 W平均、48 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

A5G18H610W19N
アクティブ

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このA5G18H610W19N 85 W非対称ドハティRFパワーGaNトランジスタは、1805～1880 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

1805～1880 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。

製品詳細

特長

  • 高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 次世代信号により、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • 非常に高い出力VSWRおよび広帯域の動作条件に対応
  • プラスチック・パッケージ
  • RoHS準拠

RF性能表

1800 MHz

ドハティ・シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：VDD = 48 Vdc、IDQA = 300 mA、VGSB = -5.4 Vdc、Pout= 85 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）(1)

周波数 Gps
(dB) 		ηD
(%) 		出力PAR
(dB) 		ACPR
(dBc)
1805 MHz 17.3 55.8 8.4 -32.3
1840 MHz 17.5 55.6 8.6 -34.7
1880 MHz 17.4 54.1 8.5 –33.7

1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ

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None /docs/en/application-note/AN1955.pdf English documents 235468 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1955.pdf Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note /docs/en/application-note/AN1955.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 2 N N Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note 235.5 KB AN1955 N 1075398872032723970051 /docs/en/application-note/AN1907.pdf 2016-11-09 I989356375600 PSP 3 May 13, 2009 Application Note None /docs/en/application-note/AN1907.pdf English documents 910737 None 645036621402383989 2025-01-28 N /docs/en/application-note/AN1907.pdf AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages /docs/en/application-note/AN1907.pdf documents 645036621402383989 Application Note N en None Y pdf 3 N N AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages 910.7 KB AN1907 N I989356375600 データ・シート 1 /docs/en/data-sheet/A5G18H610W19N.pdf 2023-11-03 1699029200300716160382 PSP 1 Jan 31, 2025 Data Sheet A5G18H610W19N 1805–1880 MHz, 85 W Avg, 48 V Airfast<sup>&reg;</sup> RF power GaN transistor for cellular base stations. 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