A3G18H500-04S|1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V

A3G18H500-04S|1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V | NXP Semiconductors

The A3G18H500-04S 107 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1805 to 2200 MHz.

This part is characterized and performance is guaranteed for applications operating in the 1805 to 2200 MHz band. There is no guarantee of performance when this part is used in applications designed outside of these frequencies.

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データ・シート

製品詳細

Features

High terminal impedances for optimal broadband performance
Advanced high performance in-package Doherty
Able to withstand extremely high output VSWR and broadband operating conditions
RoHS compliant

RF Performance Table

1800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 200 mA, V_GSB = –5 Vdc, P_out = 107 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
1805 MHz	15.3	58.4	7.1	–31.9
1840 MHz	15.4	57.7	7.0	–33.2
1880 MHz	15.4	57.7	6.7	–33.8

購入/パラメータ

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English

A3G18H500-04S 1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V Airfast<sup>®</sup> RF power LDMOS transistor for cellular base stations

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Aug 7, 2020

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Package Information

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Aug 7, 2020

Data Sheet

A3G18H500-04S 1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V Airfast<sup>®</sup> RF power LDMOS transistor for cellular base stations

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Data Sheet

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A3G18H500-04S 1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet

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A3G18H500-04S

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パッケージ情報

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NI-780S-4L

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98ASA10718D

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true Y Products

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

コンパクトリスト

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PDFAug 7, 2020改訂 1

NI-780S-4L[98ASA10718D]

PDFAug 15, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A3G18H500-04S S-Parameters Carrier

S2P改訂 0May 25, 2017238.4 KBA3G18H500-04S-CARRIER

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シミュレーションとモデル
A3G18H500-04S S-Parameters Peaking Class AB

S2P改訂 0May 25, 2017238.4 KBA3G18H500-04S-PEAKING-CLASS-AB

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シミュレーションとモデル
A3G18H500-04S S-Parameters Peaking Class C

S2P改訂 0May 25, 2017238.4 KBA3G18H500-04S-PEAKING-CLASS-C

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プリント基板と回路図
A3G18H500-04S 1800 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 3May 25, 201794.2 KBA3G18H500-04S-1800-PCB

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ショッピング・カート

1805-2200 MHz, 107 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

1800 MHz

購入/パラメータ

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A3G18H500-04S 1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G18H500-04S]

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NI-780S-4L[98ASA10718D]

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A3G18H500-04S 1805-2200 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A3G18H500-04S]

パッケージ情報 (1)

NI-780S-4L[98ASA10718D]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A3G18H500-04S S-Parameters Carrier

A3G18H500-04S S-Parameters Peaking Class AB

A3G18H500-04S S-Parameters Peaking Class C

A3G18H500-04S 1800 MHz PCB DXF file

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A3G18H500-04S S-Parameters Carrier

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