A2G22S251-01S|Airfast RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

High Terminal Impedances for Optimal Broadband Performance
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
Optimized for Doherty Applications
RoHS Compliant

RF Performance Table

2000 MHz

Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQ = 200 mA, Pout = 48 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)	IRL (dB)
1805 MHz	17.4	33.5	7.0	–34.7	–14
1990 MHz	17.3	34.3	7.1	–35.1	–11
2170 MHz	17.7	37.5	6.8	–33.2	–12

購入/パラメータ

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A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V Airfast<sup>®</sup> RF power GaN transistor for cellular base stations

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A2G22S251-01S

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A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet

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Data Sheet

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Data Sheet

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A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet

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A2G22S251-01S

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パッケージ情報

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Package Information

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true Y Products

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

コンパクトリスト

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

PDFMay 16, 2016改訂 0

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

PDFJan 19, 2016改訂 C

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 6 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 2Jun 17, 2019291.5 KBA2G22S251_01S_MDL_ADS

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シミュレーションとモデル
A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 0Sep 20, 2016739.5 KBA2G22S251_01S_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016802 BRF_HIGH_POWER_MODEL_AWR_KIT
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シミュレーションとモデル
A2G22S251-01S S-Parameters

S2P改訂 0May 16, 2016238.4 KBA2G22S251-01S_SP

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プリント基板と回路図
A2G22S251-01S 2000 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2May 16, 2016100.4 KBA2G22S251-01S_2000_PCB

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ショッピング・カート

1805-2200 MHz, 48 W Avg., 48 V Airfast® RF Power GaN Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

2000 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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データ・シート (1)

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

パッケージ情報 (1)

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

絞り込み

データ・シート (1)

A2G22S251-01S 1805-2200 MHz, 48 W Avg, 48 V GaN Data Sheet[A2G22S251-01S]

パッケージ情報 (1)

98ASA10732D, NI-400S-2S, 10.0x10.0x3.66, Pitch 7.8, 3 Pins[SOT1828-1]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

A2G22S251-01S S-Parameters

A2G22S251-01S 2000 MHz PCB DXF file

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絞り込み

A2G22S251-01S RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

A2G22S251-01S RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

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A2G22S251-01S S-Parameters

A2G22S251-01S 2000 MHz PCB DXF file

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