2110-2170 MHz, 11.5 W Avg., 28 V, 2 x W-CDMA, Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

MRF6S21050L 新規採用非推奨
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The MRF6S21050LR3 and MRF6S21050LSR3 are designed for W–CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN–PCS/cellular radio and WLL applications.

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製品詳細

Features

  • Typical 2–Carrier W–CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 450 mA, Pout = 11.5 Watts Avg., f = 2157 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
    Power Gain: 16 dB
    Drain Efficiency: 27.7%
    IM3 @ 10 MHz Offset: –37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
    ACPR @ 5 MHz Offset: –40 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
  • Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 50 Watts CW Output Power
  • Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
  • Internally Matched for Ease of Use
  • Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation
  • Integrated ESD Protection
  • Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth Applications
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

ドキュメント

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4 ドキュメント

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