AFV09P350-04N|720-960 MHz, 100 W Avg, 48 V

製品詳細

Features

Production Tested in a Symmetrical Doherty Configuration
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
RoHS Compliant
In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13-inch Reel.

RF Performance Table

900 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 860 mA, V_GSB = 0.9 Vdc, Pout = 100 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
920 MHz	19.5	48.5	7.2	–29.2
940 MHz	19.5	49.5	7.1	–32.0
960 MHz	19.2	48.0	7.0	–35.7

購入/パラメータ

パーツ説明を表示	注文	コンピュータ支援設計モデル	状況	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	ダイ技術
AFV09P350-04GN データ・シート			アクティブ	720	960	48	57	500	LDMOS
AFV09P350-04N データ・シート			アクティブ	720	960	48	57	500	LDMOS

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

7 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3
Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

PDFMar 12, 2009改訂 0

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast^® RF Power LDMOS Transistors – Data Sheet[AFV09P350-04N]

PDFJan 13, 2014改訂 0

98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins[SOT1825-1]

PDFMar 22, 2016改訂 E
98ASA10833D[SOT1818-4]

PDFMar 22, 2016改訂 B

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 8 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

HTML改訂 1Sep 20, 2016785 BRF_HIGH_POWER_MODEL_ADS_KIT
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シミュレーションとモデル
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シミュレーションとモデル
AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 860 mA S-Parameters

S2P改訂 0Jan 13, 201419.2 KBAFV09P350_04N_PEAKING_860MA_SP

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シミュレーションとモデル
AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Carrier 860 mA S-Parameters

S2P改訂 0Jan 13, 201419.2 KBAFV09P350_04N_CARRIER_860MA_SP

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シミュレーションとモデル
AFV09P350-04N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Apr 2, 2015466.3 KBAFV09P350_04N_MDL_AWR

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シミュレーションとモデル
AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 0.9 Vgs S-Parameters

S2P改訂 0Jan 13, 201419.2 KBAFV09P350_04N_PEAKING_0P9VGS_SP

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シミュレーションとモデル
AFV09P350-04N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

ZIP改訂 1Jun 17, 2019170.9 KBAFV09P350_04N_MDL_ADS

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電卓
AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jan 13, 201434.2 KBAFV09P350_04N_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistors

製品詳細

Features

RF Performance Table

900 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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アプリケーション・ノート (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

Clamping of High Power RF Transistors and RFICs in Over-Molded Plastic Packages[AN3789]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 720-960 MHz, 100 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistors – Data Sheet[AFV09P350-04N]

パッケージ情報 (2)

98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins[SOT1825-1]

98ASA10833D[SOT1818-4]

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アプリケーション・ノート (3)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

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Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

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パッケージ情報 (2)

98ASA10834D, OMNI, 20.57x9.96x3.81, Pitch 8.89, 5 Pins[SOT1825-1]

98ASA10833D[SOT1818-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 860 mA S-Parameters

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Carrier 860 mA S-Parameters

AFV09P350-04N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 0.9 Vgs S-Parameters

AFV09P350-04N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

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RF High Power Model ADS Model Kit goto: Click the Download button to select.

RF High Power Model AWR Model Kit goto: Click the Download button to select.

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 860 mA S-Parameters

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Carrier 860 mA S-Parameters

AFV09P350-04N RF High-Power Model AWR Product Model Design Kit

AFV09P350-04NR3, AFV09P350-04GNR3 Peaking 0.9 Vgs S-Parameters

AFV09P350-04N RF High-Power Model ADS Product Model Design Kit

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