A2V09H400-04N|720-960 MHz, 197 W Avg, 48 V

製品詳細

Features

Advanced high performance in-package Doherty
Greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
Designed for digital predistortion error correction systems
RoHS compliant

RF Performance Table

780 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 688 mA, V_GSB = 0.6 Vdc, Pout = 107 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
733 MHz	17.5	56.3	7.2	–31.3
780 MHz	18.0	55.8	7.2	–36.4
821 MHz	17.4	55.6	6.9	–35.0

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

5 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

PDFJan 19, 2004改訂 0

A2V09H400-04N 720-960 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H400-04N]

PDFMar 10, 2017改訂 1

98ASA10833D[SOT1818-4]

PDFMar 22, 2016改訂 B

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

1-5の 7 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class C

S2P改訂 0Nov 22, 201634.4 KBA2V09H400-04N-PEAKING_CLASS-C

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シミュレーションとモデル
A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

S2P改訂 0Nov 22, 201634.4 KBA2V09H400-04N-PEAKING-CLASS_AB

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シミュレーションとモデル
A2V09H400-04N S-Parameters Carrier

S2P改訂 0Nov 22, 201634.4 KBA2V09H400-04N-CARRIER

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プリント基板と回路図
A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2Dec 12, 201655.9 KBA2V09H400-04N_780_PCB

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電卓
A2V09H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Jul 6, 201783.7 KBA2V09H400-04N_MTTF_CALC

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Design Tool
A2V09H400-04N + A2T08VD020N 758-803 MHz Design Files

ZIP改訂 0Jan 4, 20242.8 MBA2V09H400-04N-A2T08VD020N-758-803-MHz

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Design Tool
A2V09H400-04N 758-803 MHz Design Files

ZIP改訂 0Jan 4, 2024764.0 KBA2V09H400-04N-758-803-MHz

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720-960 MHz, 107 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

Features

RF Performance Table

780 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2V09H400-04N 720-960 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H400-04N]

パッケージ情報 (1)

98ASA10833D[SOT1818-4]

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

エンジニアリング・ブリテン (1)

Using Data Sheet Impedances for RF LDMOS Devices[EB212]

データ・シート (1)

A2V09H400-04N 720-960 MHz, 107 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H400-04N]

パッケージ情報 (1)

98ASA10833D[SOT1818-4]

設計・リソース

デザイン・ファイル

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A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class C

A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

A2V09H400-04N S-Parameters Carrier

A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

A2V09H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

A2V09H400-04N + A2T08VD020N 758-803 MHz Design Files

A2V09H400-04N 758-803 MHz Design Files

絞り込み

絞り込み

A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class C

A2V09H400-04N S-Parameters Peaking Class AB

A2V09H400-04N S-Parameters Carrier

A2V09H400-04N 780 MHz PCB DXF file

A2V09H400-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

A2V09H400-04N + A2T08VD020N 758-803 MHz Design Files

A2V09H400-04N 758-803 MHz Design Files

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