A2V09H300-04N|720-960 MHz, 79 W Avg, 48 V

A2V09H300-04N|720-960 MHz, 79 W Avg, 48 V | NXP Semiconductors

The A2V09H300-04NR3 79 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

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データ・シート

製品詳細

Features

Advanced High Performance In-Package Doherty
Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation
Designed for Digital Predistortion Error Correction System
RoHS Compliant

RF Performance Tables

900 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 400 mA, V_GSB = 1.2 Vdc, Pout = 79 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
920 MHz	19.8	55.1	7.2	–32.7
940 MHz	19.7	55.9	7.1	–33.4
960 MHz	19.5	56.1	6.7	–33.9

800 MHz

Typical Doherty Single-Carrier W-CDMA Performance: V_DD = 48 Vdc, I_DQA = 400 mA, V_GSB = 1.0 Vdc, Pout = 79 W Avg., Input Signal PAR = 9.9 dB @ 0.01% Probability on CCDF.

Frequency	G_ps (dB)	η_D (%)	Output PAR (dB)	ACPR (dBc)
790 MHz	18.4	55.0	7.6	–25.0
806 MHz	18.9	56.0	8.0	–28.0
821 MHz	18.1	56.1	8.0	–32.0

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

コンパクトリスト

A2V09H300-04N 720-960 MHz, 79 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H300-04N]

PDFFeb 17, 2016改訂 0

98ASA10833D[SOT1818-4]

PDFMar 22, 2016改訂 B

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

2 設計・ファイル

プリント基板と回路図
A2V09H300-04N 900 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 0Feb 17, 201676.1 KBA2V09H300-04N_900_PCB

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電卓
A2V09H300-04N RF Power Electromigration MTTF Calculation Program

XLSX改訂 0Aug 23, 201640.5 KBA2V09H300-04N_MTTF_CALC

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ショッピング・カート

720-960 MHz, 79 W Avg., 48 V Airfast® RF Power LDMOS Transistor

製品詳細

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RF Performance Tables

900 MHz

800 MHz

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98ASA10833D[SOT1818-4]

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A2V09H300-04N 720-960 MHz, 79 W Avg, 48 V Data Sheet[A2V09H300-04N]

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98ASA10833D[SOT1818-4]

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