A5G08H800W19N|865～960 MHz、112 W平均、50 V

A5G08H800W19N|865～960 MHz、112 W平均、50 V | NXP Semiconductors

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この112 W非対称ドハティRFパワーGaNトランジスタは、865～960 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

865～960 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。

データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

特長

高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
先進の高性能インパッケージ・ドハティ
次世代信号により、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
非常に高い出力VSWRおよび広帯域の動作条件に対応
プラスチック・パッケージ
RoHS準拠

RF性能表

900 MHz

ドハティ・シングルキャリアW-CDMA製品テスト設備での標準性能：V_DD = 50 Vdc、I_DQA = 350 mA、V_GSB = –5.0 Vdc、P_out= 112 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）⁽¹⁾

周波数	G_ps (dB)	η_D (%)	出力PAR (dB)	ACPR (dBc)
865 MHz	19.3	60.5	8.8	-28.0
913 MHz	19.5	59.9	8.6	-28.8
960 MHz	19.1	58.7	8.3	-30.5

1. デバイスをNXP製品テスト設備にはんだ付けした状態での計測データです。

購入/パラメータ

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ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3

A5G08H800W19N 865–960 MHz, 112 W Avg, 50 V Data Sheet[A5G08H800W19N]

PDFDec 21, 2023改訂 1

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

PDFMay 16, 2024改訂 0

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

3 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A5G08H800W19N Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Aug 17, 202314.5 KBA5G08H800W19N-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A5G08H800W19N Carrier Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Aug 17, 202327.0 KBA5G08H800W19N-Carrier-Class-AB

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S2P改訂 0Aug 17, 202327.5 KBA5G08H800W19N-Peaking-Class-C

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ショッピング・カート

865～960 MHz、112 W平均、50 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

製品詳細

特長

RF性能表

900 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

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アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

データ・シート (1)

A5G08H800W19N 865–960 MHz, 112 W Avg, 50 V Data Sheet[A5G08H800W19N]

ファクト・シート (1)

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

データ・シート (1)

A5G08H800W19N 865–960 MHz, 112 W Avg, 50 V Data Sheet[A5G08H800W19N]

ファクト・シート (1)

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A5G08H800W19N Peaking Class AB S-Parameters

A5G08H800W19N Carrier Class AB S-Parameters

A5G08H800W19N Peaking Class C S-Parameters

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A5G08H800W19N Peaking Class AB S-Parameters

A5G08H800W19N Carrier Class AB S-Parameters

A5G08H800W19N Peaking Class C S-Parameters

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