BF1217WR 製品情報|NXP

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BF1217WR,115

製造中止

12NC: 934064551115

詳細

注文

操作機能

パラメータ
VDS [max] (V)
6
ID [max] (mA)
30
パラメータ
IDS [max] (mA)
24
Coss [typ]
0.8

環境

Part/12NC鉛フリーEU RoHSハロゲンフリーRHFインジケーターREACH SVHCWeight (mg)
BF1217WR,115(934064551115)
Yes
Yes
Yes
DREACH SVHC
5.788014525

品質

Part/12NC安全保障機能安全吸湿感度レベル (MSL)
鉛はんだ鉛フリーはんだ
BF1217WR,115
(934064551115)
-
1
1

配送

Part/12NC関税分類番号(米国)免責事項:
BF1217WR,115
(934064551115)
854121

製造終了品・代替品データ

Part/12NC製造終了のお知らせ最終購入日 最終納品日交換
BF1217WR,115
(934064551115)
-
2013-06-30
2013-12-31
None

詳細 BF1217WR

Archived content is no longer updated and is made available for historical reference only.

Enhancement type N-channel dual gate Field-Effect Transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1217WR is encapsulated in a plastic SOT343R package.