A5G26H605W19N | 2496～2690 MHz、85 W平均、48 V

A5G26H605W19N | 2496～2690 MHz、85 W平均、48 V | NXP Semiconductors

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このA5G26H605W19N 85 W非対称ドハティRFパワーGaNトランジスタは、2496～2690 MHzの周波数範囲を対象とし、非常に広い瞬時帯域幅が要求されるセルラー基地局アプリケーション向けに設計されています。

2496～2690 MHz帯域で動作するアプリケーションに対して特性が規定され、性能が保証されています。それ以外の周波数向けのアプリケーションでは性能は保証されません。

データ・シート

アプリケーション・ノート

製品詳細

特長

高い端子インピーダンスによる最適な広帯域性能
先進の高性能インパッケージ・ドハティ
次世代信号により、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
非常に高い出力VSWRおよび広帯域の動作条件に対応
プラスチック・パッケージ
RoHS準拠

RF性能表

2600 MHz

ドハティ・シングルキャリアW-CDMAリファレンス回路での標準性能：V_DD = 48 Vdc、I_DQA = 300 mA、V_GSB = -5.4 Vdc、P_out= 85 W（平均）、入力信号PAR = 9.9 dB（CCDFで0.01%の確率）⁽¹⁾

周波数	G_ps (dB)	η_D (%)	出力PAR (dB)	ACPR (dBc)
2620 MHz	15.1	52.5	8.4	-30.0
2655 MHz	15.3	52.3	8.2	-31.0
2690 MHz	15.0	52.1	8.1	-32.0

1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ

パーツ説明を表示	注文	コンピュータ支援設計モデル	状況	Frequency (Min) (MHz)	Frequency (Max) (MHz)	Supply Voltage (Typ) (V)	Peak Power (Typ) (dBm)	Peak Power (Typ) (W)	ダイ技術
A5G26H605W19N データ・シート			アクティブ	2496	2690	48	57.95	624	GaN

ドキュメント

クイック・リファレンスドキュメンテーションの種類.

4 ドキュメント

コンパクトリスト

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

PDFJul 11, 2024改訂 2
AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

PDFMay 13, 2009改訂 3

A5G26H605W19N 2496–2690 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G26H605W19N]

PDFDec 21, 2023改訂 1

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

PDFMay 16, 2024改訂 0

設計・リソース

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス設計・ファイルの種類.

4 設計・ファイル

シミュレーションとモデル
A5G26H605W19N Peaking Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Oct 25, 2023155.0 KBA5G26H605W19N-Peaking-Class-AB

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シミュレーションとモデル
A5G26H605W19N Peaking Class C S-Parameters

S2P改訂 0Oct 25, 2023155.0 KBA5G26H605W19N-Peaking-Class-C

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シミュレーションとモデル
A5G26H605W19N Carrier Class AB S-Parameters

S2P改訂 0Oct 25, 2023155.4 KBA5G26H605W19N-Carrier-Class-AB

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プリント基板と回路図
A5G26H605W19N 2600 MHz PCB DXF file

ZIP改訂 2Oct 25, 202358.6 KBA5G26H605W19N-2600-PCB

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ショッピング・カート

2496～2690 MHz、85 W平均、48 V Airfast® RFパワーGaNトランジスタ

製品詳細

特長

RF性能表

2600 MHz

購入/パラメータ

ドキュメント

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

データ・シート (1)

A5G26H605W19N 2496–2690 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G26H605W19N]

ファクト・シート (1)

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

絞り込み

アプリケーション・ノート (2)

Thermal Characterization Methodology of RF Power Amplifiers - Application Note[AN1955]

AN1907 Solder Reflow Attach Method for High Power RF Devices in Over-Molded Plastic Packages[AN1907]

データ・シート (1)

A5G26H605W19N 2496–2690 MHz, 85 W Avg, 48 V Data Sheet[A5G26H605W19N]

ファクト・シート (1)

RF High Power GaN Solutions for 5G Infrastructure - Fact Sheet[MACROGANFS]

設計・リソース

デザイン・ファイル

絞り込み

A5G26H605W19N Peaking Class AB S-Parameters

A5G26H605W19N Peaking Class C S-Parameters

A5G26H605W19N Carrier Class AB S-Parameters

A5G26H605W19N 2600 MHz PCB DXF file

絞り込み

絞り込み

A5G26H605W19N Peaking Class AB S-Parameters

A5G26H605W19N Peaking Class C S-Parameters

A5G26H605W19N Carrier Class AB S-Parameters

A5G26H605W19N 2600 MHz PCB DXF file

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