Model 11 | NXP Semiconductors

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Model 11

MODEL11

MOS Model 11は、MOS Model 9の後継として開発されました。MOS Model 11の開発目標は次のとおりです。

  • デジタル、アナログ、およびRFに適している
  • 最新および将来のCMOSテクノロジに適している
  • 物理ベース
  • MOS Model 9に匹敵するパラメータ数
  • MOS Model 9に匹敵するシミュレーション時間
  • シンプルなパラメータ抽出

このモデルはSiMKitと呼ばれる動的にロードされるライブラリに含まれています。SiMKitは、NXP®社内で使用される以下の回路シミュレータに関連しています。

  • Pstar（NXPの回路シミュレータ）
  • Spectre（Cadenceの回路シミュレータ）
  • ADS（Agilentの回路シミュレータ）
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ソフトウェア詳細

特長

  • 移動度低下
  • バイアス依存直列抵抗
  • 速度飽和
  • コンダクタンス効果（CLM、DIBLなど）
  • ゲート・リーク電流
  • ゲート誘導ドレイン・リーク
  • ゲート空乏化
  • 量子力学的効果
  • バイアス依存オーバーラップ容量

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

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1 ドキュメント

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