NPN wideband silicon RF transistor | NXP Semiconductors

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NPN Wideband Silicon Germanium RF Transistor

BFU725F 生産終了 (EOL)

NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

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製品詳細

Features

  • Low noise high gain microwave transistor
  • Noise figure (NF) = 0.7 dB at 5.8 GHz
  • High maximum stable gain 27 dB at 1.8 GHz
  • 110 GHz fT silicon germanium technology

Target Applications

  • 2nd LNA stage and mixer stage in DBS LNB’s
  • Satellite radio
  • Low noise amplifiers for microwave communications systems
  • WLAN and CDMA applications
  • Analog/digital cordless applications
  • Ka band oscillators DRO’s

購入/パラメータ

1 結果

除外 1 NRND

パーツ

説明を表示

注文

コンピュータ支援設計 モデル

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

Ptot [max] (mW)

Polarity

@f (MHz)

@VCE (V)

@IC (mA)

NF (dB)

状況

BFU725F
データ・シート

7th

55000

2.8

136

NPN

12000

2

5

1.1

生産終了 (EOL)

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

7 ドキュメント

コンパクトリスト

アプリケーション・ノート (2)
カタログ (1)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (1)
ユーザ・ガイド (2)

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.
フィルタ

2 設計・ファイル

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