NPN Wideband Silicon RF Transistor | NXP Semiconductors

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NPN Wideband Silicon RF Transistor

BFU550W 生産終了 (EOL)

NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 3-pin SOT323 package.

The BFU550W is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.

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製品詳細

Features

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.6 dB at 900 MHz
  • Maximum stable gain 18 dB at 900 MHz
  • 11 GHz fT silicon technology

Target Applications

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband amplifiers up to 2 GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • ISM band oscillators

購入/パラメータ

1 結果

除外 1 NRND

パーツ

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注文

コンピュータ支援設計 モデル

パッケージタイプ

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

IC [max] (mA)

Ptot [max] (mW)

Polarity

NF (dB)

@f (MHz)

@IC (mA)

@VCE (V)

BFU550W
データ・シート

SC-70

5th

11000

12

50

450

NPN

0.6

900

1

8

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

7 ドキュメント

コンパクトリスト

アプリケーション・ノート (2)
カタログ (1)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (2)
ユーザ・ガイド (1)

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.
フィルタ

5 設計・ファイル

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