1805~2200 MHz、49 dB、16 W平均Airfast®パワー・アンプ・モジュール

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製品詳細

特長

  • ドライバとしての2段LDMOS集積回路とGaN最終段アンプを組み合わせた3段モジュール・ソリューション
  • 先進の高性能インパッケージ・ドハティ
  • 完全整合(50 Ω入出力、DCブロック)
  • メモリ効果を低減し、線形化誤差ベクトルの大きさを改善
  • デュアルバンド同時運用 (B3~B1/B66)

RF性能表

1805~2200 MHz

標準LTE性能:Pout = 16 W平均、VD1 + VD2 = 28 Vdc、VD3A = VD3B = 45 Vdc、1 × 20 MHz LTE、入力PAR = 8 dB(CCDFの確率0.01%時)(1)

搬送波中心
周波数
利得
(dB)
ACPR
(dBc)
PAE
(%)
1815 MHz 47.7 -27.1 43.5
2000 MHz 49.1 -31.8 43.5
2190 MHz 48.3 -33.4 42.7

1. NXPのリファレンス回路にはんだ付けしたデバイスですべてのデータを測定。

購入/パラメータ










































































































ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

2 ドキュメント

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

1 設計・ファイル

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