3,200~6,000 MHz | NXP Semiconductors

RFアクティブアンテナシステム3200-6000 MHzのポートフォリオは、セルラ基地局、スモールセル、およびLTEと5G NRを含むその他の無線インフラストラクチャアプリケーション用のGaNおよびLDMOSマルチチップモジュール、ディスクリートGaN、LDMOS IC、およびSiGeソリューションを提供します。

27 結果 検索結果 3200 - 6000 MHz

除外 12 新規採用非推奨 すべて表示
Part
状況
Frequency (Min) (MHz)
Frequency (Max) (MHz)
Supply Voltage (Typ) (V)
Peak Power (Typ) (dBm)
Peak Power (Typ) (W)
Supply Current (TYP) (mA)
3rd Order Intercept (Typ) (dBm)
Noise Figure (Typ) (dB) @ f (MHz)
Max Avg. Input Power (TX) (Min) (dBm)
ダイ技術
A3M34SL039 - Airfast Power Amplifier Module with Autobias Control, 3300-3700 MHz, 29 dB, 8 W Avg
クイックプレビュー
A3M34TL139 - Airfast Power Amplifier Module, 3300-3580 MHz, 28 dB, 7 W Avg.
クイックプレビュー
A3M36SL037 - Airfast Power Amplifier Module with Autobias Control, 3400-3800 MHz, 29 dB, 5 W Avg
クイックプレビュー
A3M36SL039 - Airfast Power Amplifier Module with Autobias Control, 3400-3800 MHz, 29 dB, 8 W Avg.
クイックプレビュー
A3M37TL039 - Airfast Power Amplifier Module, 3600-3800 MHz, 28 dB, 7 W Avg.
クイックプレビュー
A3M38SL039 - Airfast Power Amplifier Module with Autobias Control, 3600-4000 MHz, 28 dB, 8 W Avg
クイックプレビュー
A3M39SL039 - Airfast Power Amplifier Module with Autobias Control, 3700-3980 MHz, 28 dB, 8 W Avg
クイックプレビュー
A3M40PD012 - Airfast Pre-driver Module, 2300-4200 MHz, 37 dB, 25 dBm.
クイックプレビュー
A5G35H055N - Airfast RF Power GaN Amplifier, 3400-3600 MHz, 7.6 W Avg., 48 V
クイックプレビュー
A5G35H110N - Airfast RF Power GaN Amplifier, 3300-3700 MHz, 15.1 W Avg., 48 V
クイックプレビュー
アクティブ
3300
3700
29
47.9
61.7
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
3300
3580
27
47.4
55
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
3400
3800
27
44.5
28.2
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
3400
3800
29
47.8
60.3
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
3600
3800
26
47.2
52.5
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
3600
4000
28
47.8
60.3
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
3700
3980
30
47
50.1
-
-
-
-
LDMOS
アクティブ
2300
4200
3.3
-
-
-
-
-
-
GaAs
アクティブ
3400
3600
48
46.7
46.7
-
-
-
-
GaN
アクティブ
3300
3700
48
49.4
87
-
-
-
-
GaN