BFU530XR | NXP Semiconductors

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NPN Wideband Silicon RF Transistor

BFU530XR 生産終了 (EOL)

NPN silicon RF transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT143R package.

The BFU530XR is part of the BFU5 family of transistors, suitable for small signal to medium power applications up to 2 GHz.

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製品詳細

Features

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.65 dB at 900 MHz
  • Maximum stable gain 21 dB at 900 MHz
  • 11 GHz fT silicon technology

Target Applications

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband amplifiers up to 2 GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • ISM band oscillators

購入/パラメータ

1 結果

除外 1 NRND

パーツ

説明を表示

注文

コンピュータ支援設計 モデル

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

Ptot [max] (mW)

Polarity

@f (MHz)

@VCE (V)

@IC (mA)

NF (dB)

状況

BFU530XR
データ・シート

5th

11000

12

450

NPN

900

8

1

0.65

生産終了 (EOL)

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

フィルタ

6 ドキュメント

コンパクトリスト

アプリケーション・ノート (2)
データ・シート (1)
パッケージ情報 (2)
ユーザ・ガイド (1)

デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.
フィルタ

5 設計・ファイル

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