BFU520Y | NXP Semiconductors

Dual-NPN Wideband Silicon RF Transistor

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製品詳細

Features

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.65 dB at 900 MHz
  • Maximum stable gain 19 dB at 900 MHz
  • 11 GHz fT silicon technology

Target Applications

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband differential amplifiers up to 2 GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • ISM band oscillators

購入/パラメータ

1 結果

マッチしていない 0 NRND

注文

コンピュータ支援設計 モデル

Generation

fT [typ] (MHz)

VCEO [max] (V)

Ptot [max] (mW)

Polarity

@f (MHz)

@VCE (V)

@IC (mA)

NF (dB)

状況

5th

10000

12

450

NPN

900

8

1

0.65

アクティブ

ドキュメント

クイック・リファレンス ドキュメンテーションの種類.

1-5 / 7 ドキュメント

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デザイン・ファイル

クイック・リファレンス 設計・ファイルの種類.

5 設計・ファイル

サポート

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