コンパクト・モデル

コンパクト・モデルとは、アナログ回路シミュレータに用いられる半導体デバイスを数学的に記述したもの（数式）です。NXPは、SiMKitと呼ばれるシミュレータに依存しないコンパクト・トランジスタ・モデル・ライブラリを提供しています。ここでは、すべてのドキュメントと完全なSiMKitソース・コードを含む、最新のモデル情報とダウンロード・ページをご紹介します。

6.1の新機能

SiMKitライブラリのバージョン6.1が公開されました。このウェブサイトでは、以前のバージョンも入手できます。今リリースの主な変更点は次のとおりです。

  • juncap200のオーバーフロー保護のエラーを修正
  • ddxで定義された全出力パラメータのエラーをPSP104で修正
  • SOAを実装するすべてのデバイスで、デバイス名をインスタンス・パラメータとして追加し、すべてのSOACHECK_INFOメッセージ内で使用
  • SOAでVBALLMSGパラメータの機能の記述を改善
  • ProMOSTとPstarで使用するライブラリを作成するためだけに必要だった、spice3_modelsソース・コードをSiMKitから削除

SiMKit 6.1の詳細についてはこちらを参照

製品 説明
Advanced Diodeモデル NXPのAdvanced Diodeモデルは、通常のダイオード・モデルを拡張するもので、特に逆方向の動作に関する記述が大幅に改善されています。
JFETIDG 独立したデュアルゲートJFET。詳細については、https://nanohub.org/publications/173/2を参照してください。
Juncap JUNCAPモデルは、MOSTデバイスのソース、ドレイン、またはウェル・バルク間接合で形成されるダイオードの動作を記述するものです。側壁、底部、ゲート・エッジ接合の各プロファイルの違いによる影響を考慮するために、JUNCAPモデルではこれらの3つの寄与が別々に計算されます。
Mextram Mextramモデルは、最新のSiGeプロセスや堅牢なHVプロセスを含む、あらゆる種類のプロセスにおける垂直バイポーラ・トランジスタを記述するものです。速度飽和、ベース領域拡張、カーク効果、衝突電離などの効果が生じるバイポーラ・トランジスタの低ドープのコレクタ・エピ層を非常に効率的にモデリングするために役立ちます。
Model 11 MOS Model 11 (MM11) は、対称型の表面電位ベース・モデルであり、弱反転から強反転への遷移に関する正確な物理的記述が得られます。
Model 20 MOS Model 20は、従来型のコンパクトLDMOSモデルです。チャネル領域のMOSFET動作と、薄いゲート酸化膜下のドリフト領域のMOSFET動作を組み合わせています。つまり、MOS Model 20はMOS Model 31とつながるMOS Model 9の後継、またはMOS Model 31とつながるMOS Model 11の後継となることを目的としています。
Model 31 MOS Model 31は、アナログ高電圧アプリケーションの回路シミュレーションとIC設計に使用することを目的とした物理ベース・トランジスタ・モデルです。このモデルは、接合分離型蓄積/空乏型MOSFETの電気的挙動を記述します。
Model 40 MOS Model 40は、シリコン・オン・インシュレータ (SOI) で処理されるアナログ高電圧アプリケーションの回路シミュレーションとIC設計に使用することを目的とした物理ベース・トランジスタ・モデルです。
Model 9 MOS Model 9は、アナログ・アプリケーションの電気回路のシミュレーションおよび設計を目的とした物理ベース解析モデルです。サブスレッショルド電流、基板電流、出力コンダクタンスなど、トランジスタの動作のすべての関連領域における電気的特性を記述します。
Model PSP 2011年まで、PSPモデルはNXP（旧Philips）とGildenblatアリゾナ州立大学教授（元ペンシルベニア州立大学教授）のグループによって共同開発されていました。2011年から2014年まで、PSPモデルはNXPとデルフト工科大学の共同研究によってさらに開発が進められました。
Modella バイポーラ・アナログ集積回路の設計では、多くの場合、NPNトランジスタとPNPトランジスタの両方を回路設計に組み込むと柔軟性が大きく高まります。現在の多くのバイポーラ製品の製造プロセスでは、標準的なPNPトランジスタ構造として従来型ラテラルPNPを使用しています。