Resonant Power Supply Control IC
デザイン・ファイル
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全波アクティブ・ブリッジ整流器コントローラ
アクティブ・ブリッジ整流器向けコントローラICであるTEA2208Tは、従来のダイオード・ブリッジに代わるNXP初の新世代アクティブ・ブリッジ整流器コントローラです。
このアクティブ・ブリッジICは、大電流のレール・ツー・レールMOS出力ドライバを備えており、消費電力とゲート電荷損失を合わせて最小2 mWにまで抑えます。
TEA2208Tを低オーミックの高電圧外部MOSFETとともに使用すると、一般的な整流ダイオードの順方向導通損失がなくなるため、電力変換器の効率が大幅に向上します。
TEA2208TのパワーMOSFETドレイン-ソース間保護と最小主電源電圧機能により、90 V (AC) の主電源電圧で効率を最大約1.4%高めることができます。
TEA2208Tは全波整流器として4つのMOSFETをアクティブ・ブリッジで駆動できるため、昇圧型の力率コントローラを1段目とする電源に最適です。2段目のアプリケーションでは、TEA2208Tをフライバック・コントローラ、共振コントローラとして使用することも、他のコントローラ・トポロジに適用することもできます。
さらに、このアクティブ・ブリッジ整流器は、アダプタやPC電源など、あらゆる高効率電源で使用できます。
製品詳細
特長
効率に関する機能
- ダイオード整流器ブリッジの順方向導通損失なし
- 非常に低いIC消費電力 (2 mW)
アプリケーションの機能
- 高電圧レベル・シフタを内蔵
- 4つの整流用MOSFETをすべて直接駆動
- 非常に少ない外部部品数
- Xキャパシタ放電を内蔵 (2 mA)
- 自己給電
- 全波駆動による全高調波歪み (THD) の改善
- S014パッケージ
制御機能
- ハイサイドおよびローサイド・ドライバの低電圧ロックアウト (UVLO)
- すべての外付けパワーMOSFETのドレイン-ソース間過電圧保護
- すべての外付けパワーMOSFETの起動時のゲート・プルダウン電流
長期製品供給プログラム
- 本製品はNXPの長期製品供給プログラムの対象であり、発売から最低10年間の供給が保証されています
購入/パラメータ
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